快科技2月26日新闻，跟着NAND闪存技巧竞争日益剧烈，三星电子颁布的道路图表现，打算到2030年开辟出1000层的NAND闪存。为了实现这一目的，三星打算引入一种名为“多BV”（multi-BV）的NAND构造，经由过程重叠四片晶圆来冲破构造限度。三星电子DS部分首席技巧官宋在赫（Song Jae-hyuk）流露，三星将采取晶圆键合技巧，分辨制作外围晶圆跟单位晶圆，而后将它们键合在一同构成单一的半导体，这种技巧估计将在三星的V10（第10代）NAND中初次利用。此前，三星在NAND出产中采取的是COP方式，行将外围电路放在一块晶圆上，而后将单位重叠在下面，跟着层数的增添，底层外围电路的压力会影响牢靠性。为了实现更高的层数，三星决议与长江存储配合，应用其混杂键合专利技巧，从V10 NAND开端，三星将引入这一技巧。据ZDNet报道，三星打算在2025年下半年开端量产V10 NAND，估计层数将到达420至430层。除了晶圆键合技巧外，三星还打算在将来的NAND出产中引入多种要害技巧，包含高温刻蚀跟钼的应用，这些技巧将从400层NAND开端利用。
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