英飞凌告竣200mm碳化硅（SiC）新里程碑：开端托付

英飞凌在200mmSiC产物道路图上获得严重停顿。公司将于2025年第一季度向客户供给首批基于进步的200mmSiC技巧的产物。这些产物在位于奥天时菲拉赫的出产基地制作，将为高压利用范畴供给进步的SiC功率技巧，包含可再生动力体系、铁路运输跟电动汽车等。别的，英飞凌位于马来西亚居林的出产基地正在从150mm晶圆向直径更年夜、更高效的200mm晶圆过渡。新建的第三厂区将依据市场需要开端大量量出产。本文援用地点：200mm SiC晶圆Rutger Wijburg博士—英飞凌科技首席经营官咱们正在按打算实行SiC产物的出产，而且非常愉快将开端为客户供给首批产物。经由过程菲拉赫跟居林出产基地的SiC产物分阶段进入量产，咱们正在晋升本钱效益并连续保障产物品质，同时确保咱们的产能满意客户对SiC功率半导体的需要。英飞凌200mm SiC晶圆SiC半导体为年夜功率利用带来了变更，它进一步进步了电源开关的效力、在极其前提下存在高度的牢靠性跟持重性，而且可能实现更小尺寸的计划。借助英飞凌的SiC产物，客户可能为电动汽车、疾速充电站跟铁路运输，以及可再生动力体系跟AI数据核心开辟节能处理计划。向客户供给首批基于200mm晶圆技巧的SiC产物标记着英飞凌在SiC产物道路图上迈出了本质性的一步，该道路图的重点是为客户供给片面的高机能功率半导体产物组合，推进绿色动力的开展并对二氧化碳的减排做出奉献。作为专一于高度翻新宽禁带（WBG）技巧的 “英飞凌虚构协同工场”，英飞凌位于菲拉赫跟居林的出产基地经由过程共享技巧跟制程工艺，实现了SiC跟氮化镓（GaN）产物制作的疾速进入量产跟安稳高效的经营。当初，200mm SiC的出产为英飞凌业界当先的半导体技巧跟功率体系处理计划精益求精，坚固了公司在硅以及碳化硅跟氮化镓等全部功率半导体范畴的技巧当先上风。